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HEMT高速LSI(1990)

 1990年2月13日 富士通が低温HEMTを使用した高速LSIを開発。
 
   HEMT素子はGaAS半導体の層とAlGaAsの層を重ね合わせたもので1980年に
   富士通が世界で初めて素子開発に成功した。今回富士通が開発したLSI
   では、HEMT素子を8.2mm角の基盤に1万個集積。マイナス196度で動作さ
   せて1秒間に16億個の乱数発生ができた。